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O Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC) publicou na sexta-feira as especificações para o padrão UFS v3.1 (JESD220E) como uma atualização do UFS 3.0. De acordo com o JEDEC, o novo padrão foi desenvolvido para aplicativos móveis e sistemas de computação que requerem alto desempenho com baixo consumo de energia. Sendo esse o caso, ele oferece novos recursos para aumentar as velocidades de leitura / gravação, minimizando o uso de energia.
Como tal, o UFS 3.1 define uma série de atualizações importantes sobre a versão anterior, incluindo 'Write Booster' - um cache não volátil SLC que amplifica a velocidade de gravação; 'DeepSleep' - um novo estado de baixo consumo de energia do dispositivo UFS para dispositivos básicos e 'Notificações de aceleração de desempenho' que permitem que o dispositivo UFS notifique o host quando o desempenho do armazenamento for restringido devido à alta temperatura.
Além do UFS 3.1, a organização também publicou um novo padrão complementar opcional chamado UFS Host Performance Booster (HPB) Extension (JESD220-3). É dito que fornece uma opção para armazenar em cache o mapa de endereço lógico-físico do dispositivo UFS na DRAM do sistema. “Para dispositivos UFS com uma grande densidade, o uso de DRAM do sistema fornece armazenamento em cache maior e mais rápido, melhorando assim o desempenho de leitura do dispositivo”, disse que a organização em um comunicado oficial à imprensa.
É importante notar aqui que o armazenamento UFS 3.0 foi usado em apenas uma série de smartphones carro-chefe no ano passado, incluindo a linha Samsung Galaxy Note 10. O UFS 2.1 NAND continua sendo o padrão padrão para armazenamento flash, com a maioria dos smartphones mais importantes do ano passado aderindo ao padrão antigo. Na verdade, a maioria dos smartphones básicos e intermediários continuam a ser fornecidos com armazenamento eMMC, portanto, será interessante ver quando o padrão mais recente chegará aos dispositivos de consumo daqui para frente.
